重復多次光刻、刻蝕、沉積，完成場效應管制作：代工廠首先使用 PVD/CVD 設備在晶圓表面沉積絕緣氧化層，然后使用離心技術涂光刻膠（涂膠）、根據芯片結構圖曝光（光刻），受到強光照部分的光刻膠會失去其保護功能（顯影）。接下來用蝕刻設備蝕刻暴露的氧化層，拋光后在裸露的硅中注入不同雜質離子（離子注入），使其導電率發生改變，形成 PN 結。重復該流程多次可完成場效應管的制作。
重復多次光刻、刻蝕、沉積，完成布線：在完成場效應管制作后，代工廠使用 PVD/CVD設備沉積層間絕緣薄膜，拋光后用光刻和蝕刻設備制作導孔，之后再次使用 PVD/CVD 設備沉積金屬層，由此形成一層布線，重復該流程多次可完成芯片電路布線。
前道工序+后道工序使用設備價值量最高，從歷史數據看，占比接近 80%。在半導體制作流程中需要用到大量設備，如硅片制造過程需要長晶爐、切割、CMP、清洗等設備；前端工藝（場效應管的制作）需要 CVD、PVD、涂膠器、光刻機、顯影機、蝕刻機、CMP、離子注入設備，后道工藝（布線）與前道工藝設備相似；封測環節需要用到單晶圓熱處理系統、晶圓探針、研磨機、切割機、芯片焊接機以及終測設備等。前端工藝和后端工序由于“制作難度較高+需重復多次”，設備價值量在整個工藝流程中最大。而對于存儲器件與邏輯器件而言，前道與后道的設備價值又有所不同：存儲器用于存儲，需要更多的特殊結構晶體管以及電容，因此前道設備價值占比更高；而邏輯器件用于計算，需要更多布線層并且不需電容，因而后道設備價值占比更高。
