3D NAND FLASH浪潮襲來，行業周期性讓位成長性
1）傳統上存儲芯片行業周期性比較明顯，但未來將保持穩定獲利狀態。主要原因：下游應用范圍拓寬；破產并購提高產業集中度；擴產難度提高；2）3D高性能、低功耗、高密度等特征更適應小體積、大容量的市場需求；SEMI預計全球晶圓廠最大成長動力來自3D NAND（包括3DXPoint）。2015年倍增至36億美元，成長101%。2016年將再增加50%，上揚56億美元以上。
三星領跑全球，技術差距有限，SSD和智能手機需求驅動市場增長
行業資本集中度高，技術壁壘高，量產難度大。目前霸主三星能夠規模量產，東芝等企業最早今年下半年量產，國內的武漢新芯預計2018年量產，和三星技術差距在1~3年。目前企業均在48層3D技術追趕三星。預計2017年3D NAND供給量2.5億個。智能機方面，蘋果256GB容量率先使用三星的3D閃存；SSD方面，3D SSD已占據半壁江山，滲透進了企業SSD和消費SSD，未來將成為主流。預計2017年3D NAND 需求量2.81億顆，相比2015年1.1億顆的出貨量，市場空間廣闊。預計2017年不存在3D NAND產能過剩問題，存儲芯片廠商能穩定獲利。
國家引導、資本助力，由進口依賴到自產自銷
我國55%的存儲器是進口的，若轉為自產自銷，存儲器芯片企業受益明顯。據估計，2018年我國國內存儲器市場規模超過400億美元。預計2017年我國3D NAND FLASH需求約8000萬個。近2年來，隨著國家集成電路產業基金的成立和不斷投入，中國集成電路產業大事不斷。武漢新芯和紫光國芯兩大存儲器項目都得到了大基金和地方配套基金的大力支持，中國存儲器產業的大發展即將到來！
3D NAND將全面替代2D NAND，關注產業鏈中材料和封測相關企業
我們認為兩者的關系短期看成本，長期看需求。由于2D工藝最多只能滿足128GB的容量需求，3D擁有更好性能且能滿足256GB及更高容量，未來伴隨著智能機和SSD對更大容量的需求，3D終將全面替代2D。但最近的若干年內，由于2D在128GB及以下容量的市場中成本優勢明顯，兩者將暫時維持共存狀態。材料方面，關注選擇性蝕刻及薄膜沉積產品。3D NAND的關鍵技術是極度復雜的刻蝕和薄膜工藝。封測方面關注TSV技術。TSV封裝技術將成為實現3D結構的關鍵。
